大摩將2025年視為晶圓廠設(shè)備“過渡期” 下調(diào)應(yīng)用材料評(píng)級(jí)

快訊 2024年12月06日 01:45 24 admin

　　摩根士丹利認(rèn)為，2025年將是晶圓廠設(shè)備市場(chǎng)的“過渡期”，因而下調(diào)半導(dǎo)體設(shè)備公司應(yīng)用材料（AMAT.US）評(píng)級(jí)。該公司股票評(píng)級(jí)從持股觀望下調(diào)為減持，目標(biāo)價(jià)從179美元下調(diào)至164美元，股價(jià)在盤前交易中下跌超2%。

　　該公司分析師寫道：“在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和中國(guó)引領(lǐng)的2024年（晶圓廠設(shè)備）創(chuàng)紀(jì)錄之后，我們預(yù)計(jì)2025年將是一個(gè)過渡年?！?/p>

　　“因?yàn)楣?yīng)鏈多元化仍是人們最關(guān)注的問題，半導(dǎo)體資本密集度也沒有下降，（晶圓廠設(shè)備）市場(chǎng)增長(zhǎng)的長(zhǎng)期驅(qū)動(dòng)因素未受影響。然而，終端市場(chǎng)很重要，設(shè)備購(gòu)買時(shí)機(jī)也很重要，隨著DRAM平均售價(jià)的下降和中國(guó)廠商對(duì)西方設(shè)備的大力推動(dòng)，鑒于企業(yè)將消化上一年的產(chǎn)能建設(shè)，我們預(yù)計(jì)2025年將是一個(gè)過渡年?！?/p>

　　總體而言，2025年晶圓廠設(shè)備支出將同比下降6%，其中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）相關(guān)支出預(yù)計(jì)將下降10%（盡管高帶寬存儲(chǔ)器增長(zhǎng)了20%）；NAND閃存相關(guān)支出預(yù)計(jì)增長(zhǎng)22%；來自中國(guó)的支出預(yù)計(jì)將下降15%（中國(guó)企業(yè)增長(zhǎng)32%，而西方企業(yè)下降24%）；代工廠邏輯芯片支出將下降約6%。

　　分析師補(bǔ)充說：“我們預(yù)計(jì)，（臺(tái)積電）、英特爾和三星的總資本支出在2025年將同比下降2%，但我們對(duì)英特爾和三星在代工上的長(zhǎng)期抱負(fù)存在質(zhì)疑。”

　　該公司還將科磊（KLAC.US）和泛林集團(tuán)（LRCX.US）的目標(biāo)價(jià)分別從746美元和76美元調(diào)至703美元和78美元。

標(biāo)簽：晶圓廠過渡期下調(diào)